КИНЕТИКА КРИСТАЛЛИЗАЦИИ АМОРФНЫХ ПЛЕНОК CuGa5Se8

Abstract

Методом кинематической электронографии, позволяющим производить непрерывную съемку
объекта при различных условиях термообработки, исследованы процессы фазообразования и фазовых переходов в тонких слоях CuGa5Se8. Показано, как испарением синтезированного соединения,
так и при термическом напылении двойных соединений составов Cu2Se и Ga2Se3 в соотношении
1:5 образуются аморфные пленки. Установлены кинетические параметры кристаллизации аморфных пленок составов CuGa5Se8. Определены мерность роста кристалликов и значения энергий активаций зародышеобразования и дальнейшего их роста.
Ключевые слова: кинетика кристаллизации, аморфная пленка, нанотолщины